Das Projekt ALL2GaN ermöglicht einen wichtigen Schritt in Richtung europäischer Technologiesouveränität. ALL2GaN basiert auf einer klassischen Arbeitspaketstruktur mit 7 Arbeitspaketen. Die Struktur der Arbeitspakete folgt der gesamten Wertschöpfungskette und umfasst die Bereiche Technologie (WP1-WP3), Integration & Packaging (WP4), Zuverlässigkeit (WP5) und Anwendung (WP6).
- WP1: GaN-Leistungsgeräte und ICs bis 100 V
- WP2: Neuartige Lösungen für laterale GaN-Geräte und integrierte Schaltkreise (≥650 V)
- WP3: Erschwingliches Hochleistungs-HF-GaN mit neuartiger Integration
- WP4: Integration und Verpackung von GaN-Geräten
- WP5: Zuverlässigkeit von der Komponente zum System
- WP6: Anwendungsfälle für umweltfreundlichere und intelligentere Anwendungen
Diese Projektstruktur unterstützt die Gesamtziele von ALL2GaN, die Material- und Energieeffizienz von GaN-Hochleistungs-HF-Technologien zu erhöhen, einschließlich aller Aspekte von Substraten bis zu Systemen.
SAL fungiert als WP4-Leiter und ist zuständig für die Integration und Verpackung von GaN-Geräten. Im Rahmen dieses Arbeitspakets entwickeln wir innovative Verbindungs- und Verpackungslösungen (SiP, SiB, SiM) für GaN-ICs, diskrete Geräte und GaN-Multichip-Module. Darüber hinaus werden wir bei WP6 zum „Anwendungsfall für hocheffiziente HF-Verstärker für Mobilfunknetze“ beitragen, bei dem der Entwurf, die Implementierung und die Charakterisierung von Breitband-MMIC-PA im 8-GHz-Band geplant sind.
Forschungsprogramm:
Das ALL2GaN-Projekt (Förderungsvereinbarung Nr. 101111890) wird vom Chips Joint Undertaking und seinen Mitgliedern unterstützt, einschließlich der zusätzlichen Finanzierung durch Österreich, Belgien, die Tschechische Republik, Dänemark, Deutschland, Griechenland, die Niederlande, Norwegen, die Slowakei, Spanien, Schweden und die Schweiz.
