Dieses Projekt zielt darauf ab, neue Methoden und Prüfverfahren für die Analyse der Wafer-Bondenergie zu entwickeln.
Wafer-bonding energy
Partner Call offen bis: 30. Juli 2024
Projektstart: Q3 2024
Die Charakterisierung gebondeter Wafer ist ein kritischer Schritt in der Halbleiterfertigung, wobei die Bondstärke der zuverlässigste Indikator für die Qualität des Waferbonden ist. Zur Quantifizierung der Bondenergie wurden bereits verschiedene Methoden untersucht, von denen die DCB-Methode (Double Cleavage Beam Methode), auch als Rissöffnungsmethode oder Rasierklingenmethode bekannt, eine der am häufigsten verwendeten ist. In diesem Projekt soll die Bondenergie von Wafern mit Hilfe neuer destruktiver und nicht-destruktiver Prüfmethoden bewertet und quantifiziert werden.
Die Hauptaufgaben sind:
- Charakterisierung der Wafer-Bondstärke zur Optimierung direkter und indirekter Wafer-Bondprozesse
- Demonstration modernster Methoden für die destruktive und nicht-destruktive Analyse der Bondenergie
- Simulation und Modellierung der Wafer-Bond-Energie und ihrer Abhängigkeit von Wafer-Bonding-Parametern wie Oberflächenbehandlung, Glühbedingungen usw.
Erwartete Ergebnisse
- Quantifizierung der Wafer-Bondenergie
- Entwicklung alternativer Technologien zur Bestimmung der Bondenergie
- Verständnis des Einflusses der Wafer-Bondparameter auf die Festigkeit der gebondeten Wafer
