SICSPEC

Partner Call offen bis: 5. November 2024

Projektstart: Q1 2025

Defekte in SiC gut zu verstehen ist wichtig, sowohl bei der Herstellung von integrierten SiC-basierten Schaltkreisen als auch aufgrund ihrer Verwendung als aktiven Elemente bei Anwendungen im Bereich der Quantentechnologien.

Um die Natur solcher Defekte eindeutig zu Charakterisieren sind Fluoreszenz-Messungen bei tiefen Temperaturen nötig. Im Rahmen dieses Projekts soll ein entsprechender Messaufbau installiert werden und Messungen an verschiedenen Proben durchgeführt werden.

• Fluoreszenzmessungen an SiC-Proben nach Laseranregung
• Integration eines closed-cycle He-Kryostaten im Messaufbau und Messungen bei 4K

• Charakteristische Tieftemperaturspektren, welche die Identifikation von Defekten in SiC und anderen Halbleitern erlauben.