Entwicklung eines Time-to-Failure-Modells für Power-Metal-Oxide-Silicon-Transistoren und Verifizierung mittels Highly Accelerated Stress Testing (HAST), unter voller elektrischer Belastung.
PowerMOS-HAST
Partner Call offen bis: 7. November 2024
Projektstart: Q4 2024
Hauptziele
- Entwicklung parallel arbeitender elektronischer Signalüberwachungsschaltungen für Langzeit-HAST und elektronischer Online-Detektionssysteme für PowerMOS-Leistungsdegradation.
- Modellierung und Simulation der entdeckten Degradationsprozesse.
- Realisierung von Vorhersagemodellen zur Abschätzung der verbleibenden Betriebsdauer unter Umgebungsbedingungen.
Erwartete Ergebnisse
- Ein validiertes Modell zur Vorhersage der Lebensdauer von PowerMOS
- Verbesserter Entwurf und Lagenaufbau für die Herstellung
- Längere Lebensdauer der Leistungskomponenten
