EPT300

ENABLING POWER TECHNOLOGIES ON 300MM WAFERS: Im Rahmen des ENIAC Joint Undertaking Projekts EPT300 sollen Technologien zur Produktion von Leistungshalbleitern auf 300mm Wafer Basis entwickelt und umgesetzt werden. Die Ergebnisse werden Europas Position von Leistungshalbleitern weltweit festigen.

EPT300 PROJEKT

Europas 2020 Strategie der Europäischen Kommission enthält wesentliche Bestrebungen zur Reduktion von Emissionen, Steigerung der Energieffizient und Forcierung der Elektromobilität. Als Beitrag zur Beantwortung verschiedener Grand Challenges der EU strebt das Projekt EPT300 an, weltweit erstmals die industrielle Produktion von Leistungshalbleiter-Bauelementen auf 300mm Silizium-Wafern zu ermöglichen. Im Vergleich zum derzeitigen 200-mm-Standardformat würde dies mehr als eine Verdoppelung der Anzahl der Chips pro Wafer und somit eine wesentliche Effizienzsteigerung in der Fertigung bedeuten. Gleichzeitig dient das Forschungsprojekt dazu, die in einer Vielzahl von Anwendungen verwendeten Hochleistungs-Chips intelligenter und energieeffizienter zu machen – Eigenschaften, die wesentlich dazu beitragen den Energieverbrauch elektr(on)ischer Geräte zu optimieren. EPT300 wird wesentliche Beiträge zur Erforschung und Entwicklung innovativer Materialien und neuartiger Produktionsprozesse liefern, wobei SAL – den Stärken entsprechend - insbesondere Kompetenzen im Bereich von Multiparameter-Simulationen, intelligenter Prozessmesstechnik und dem Handling (dünner) Wafer einbringt.

 

EPT300 KONSORTIUM

Das Projekt Konsortium besteht aus 22 Partnern aus vier Europäischen Ländern. Sie alle vereint das EPT300 Projekt um neuartige Prozess-, Produktions-, Handling- und Automatisierungstechnologien für 300 mm Leistungshalbleiter zu entwickeln und umzusetzen. Die Projekt Leistungen umfassen:

  1. Verbesserung der Kernkompetenzen europäischer Unternehmen in der Entwicklung von Leistungshalbleitertechnologien und die Fähigkeit diese in Europa, zu wettbewerbsfähigen Kosten zu fertigen.
  2. Schaffung einer Best-in-Class Produktivität bei der Herstellung von 300mm Leistungshalbleitern, um fortschrittliche, energieeffiziente Anwendungen für industrielle Zwecke und die Mobilität zu adressieren sowie
  3. Entwickelung einer effizienten „supply-chain“ zur Herstellung von herausragenden Leistungshalbleiter-Technologien in Europa.

 

FORSCHUNGSERGEBNISSE

Mit dem ENIAC JU Projekt EPT300 soll die Europäische Leistungshalbleiterherstellung sowie die dazugehörige Ausstattungs- und Material Industrie weltweit führend in der effizienten Produktion von 300mm Leistungshalbleitern werden.

PROJEKTFAKTEN

  • Projekt: EPT300
  • Programm: ENIAC Joint Undertaking
  • Projektleitung: Infineon Technologies Austria AG
  • Laufzeit: April 2012 - März 2015
  • Konsortium: 22 Partner aus 4 Nationen
  • Projektvolumen: 43,65 mio Euro
  • Website: www.ept300.eu

Ihr Ansprechpartner

Dr. Martin Kraft

Area Manager Photonic Systems

Telefon: + 43 (0) 4242 56300
E-mail: martin.kraft@silicon-austria.com

Forschungsprogramm

Das EPT300 Projekt wird im Rahmen von ENIAC Joint Undertaking (ENIAC JU) und den nationalen Fördermitteln unterstützt.