Wafer-Konditionierung für kontrollierte Oberflächenrauheitsverteilung

Partner Call offen bis: Ende Juli 2020

Beginn des Projekts: Q3 2020

Zielsetzung

Ziel des Projektes ist es, ein zuverlässiges Verfahren zur kontrollierten Modifikation der Oberflächenrauheit an Siliziumwafern zu entwickeln. Ziel ist es, die Verteilung der Vertiefung auf den Siliziumwafern aktiv steuern zu können, so dass eine homogene und gemusterte Verteilung möglich ist.

Eines der Projektziele ist die umfassende Erforschung der verfügbaren Technologien, die das Potenzial haben, die heutige Herausforderung für die Schaffung eines aktiv gesteuerten Prozesses zur kontrollierten  Oberflächenrauheitsmodifikation auf Siliziumwafern zu beantworten.  Der Fokus liegt auf modernsten additiven Fertigungstechnologien, die die Realisierung verschiedener 2D- (und 2.5D)-Strukturen auf Siliziumwafern mit hohen (Nano-)Auflösungen, schnellen und einfachen Prozessen und hoher Parameterflexibilität ermöglichen könnten. Ein weiteres Projektsegment sind die experimentellen Aktivitäten, bei denen mehrere vielversprechende technologische Konzepte experimentell ausgewertet und analysiert werden. Das Projektergebnis wird ein Versuchsdesign (DoE) sein, indem Technologien und Prozesse verglichen und bewertet werden.

Erwartete Ergebnisse

  • Konzeptbewertung und Technologieauswahl
  • Konsolidierung der Prozessparameter zur kontrollierten Oberflächenrauhigkeitsmodifikation
  • DoE mit Technologievergleich und -bewertung